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图片信息
SSM6N35FE,LM图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:SSM6N35FE,LM
  • 原始制造厂商:Toshiba,东芝半导体
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处下载SSM6N35FE,LM的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:SSM6N35FE,LM
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):180mA
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3 欧姆 @ 50mA,4V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):9.5pF @ 3V
  • 功率-最大值:150mW
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:SOT-563,SOT-666
  • SSM6N35FE,LM均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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