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图片信息
TC58BYG0S3HBAI6图片
基本技术信息：
  • 电子器件型号：TC58BYG0S3HBAI6
  • 原始制造厂商：Toshiba，东芝半导体
  • 技术标准参数：EEPROM SLC 1GB NAND 24NM 67VFBGA
  • 产品应用分类：存储器
  • 点击此处下载TC58BYG0S3HBAI6的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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    • 技术参数详解：
  • 东芝半导体公司完整型号: TC58BYG0S3HBAI6
  • 制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 功能总体简述: EEPROM SLC 1GB NAND 24NM 67VFBGA
  • 系列: Benand
  • 格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
  • 存储器类型: EEPROM - NAND
  • 存储容量: 1G（128M x 8）
  • 速度: 25ns
  • 接口: 并联
  • 电压 - 电源: 1.7 V ~ 1.95 V
  • 工作温度: -40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳: 67-VFBGA
  • 供应商器件封装: 67-VFBGA（6.5x8）
  • TC58BYG0S3HBAI6均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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