TJ11A10M3,S5Q(M（Toshiba）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：TJ11A10M3,S5Q(M

技术标准参数：MOSFET P-CH 100V 11A TO220SIS-3

产品应用分类：FET - 单

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技术参数详解：

东芝半导体公司完整型号: TJ11A10M3,S5Q(M

制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage

功能总体简述: MOSFET P-CH 100V 11A TO220SIS-3

系列: -

FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 11A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 130 毫欧 @ 5.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 69nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 3200pF @ 10V

功率 - 最大值: 24W

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3 整包

供应商器件封装: TO-220SIS

TJ11A10M3,S5Q(M均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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