深圳市南皇电子有限公司长期提供TJ8S06M3L(T6L1,NQ)（品牌: Toshiba）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：TJ8S06M3L(T6L1,NQ)制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET P-CH 60V 8A DPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：U-MOSVI零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：104 毫欧 @ 4A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19nC @ 10VVgs（最大值）：+10V，-20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：890pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：27W（Tc）工作温度：175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：DPAK+TJ8S06M3L(T6L1,NQ)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
