深圳市南皇电子有限公司长期提供TK30E06N1,S1X(品牌: Toshiba)充足现货订购、免费样品
技术参数详解:
制造商产品型号:TK30E06N1,S1X制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH 60V 43A TO220系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:U-MOSVIII-H零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):43A(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):15 毫欧 @ 15A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 200μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):16nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1050pF @ 30VFET功能:-功率耗散(最大值):53W(Tc)工作温度:150°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:TO-220TK30E06N1,S1X均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!