深圳市南皇电子有限公司长期提供TPC8A04-H(TE12L,Q)（品牌: Toshiba）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
东芝半导体公司完整型号：TPC8A04-H(TE12L,Q)制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.6 毫欧 @ 9A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：56nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5700pF @ 10V功率 - 最大值：-安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）TPC8A04-H(TE12L,Q)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
