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图片信息
TPC8A04-H(TE12L,Q)图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:TPC8A04-H(TE12L,Q)
  • 原始制造厂商:Toshiba,东芝半导体
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处下载TPC8A04-H(TE12L,Q)的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 东芝半导体公司完整型号:TPC8A04-H(TE12L,Q)
  • 制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):18A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.6 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):56nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5700pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:-
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOP(5.5x6.0)
  • TPC8A04-H(TE12L,Q)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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