TPCF8B01(TE85L,F,M（Toshiba）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：TPCF8B01(TE85L,F,M

原始制造厂商：Toshiba，东芝半导体

技术标准参数：MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处下载TPCF8B01(TE85L,F,M的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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技术参数详解：

制造商产品型号：TPCF8B01(TE85L,F,M

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：U-MOSIII

零件状态：停产

FET类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：2.7A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：110 毫欧 @ 1.4A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 5V

Vgs（最大值）：±8V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：470pF @ 10V

FET功能：肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）：330mW（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：VS-8（2.9x1.5）

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