深圳市南皇电子有限公司长期提供TW070J120B,S1Q（品牌: Toshiba）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：TW070J120B,S1Q制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：SICFET N-CH 1200V 36A TO3P系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：*零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）：1200V25°C时电流-连续漏极(Id)：36A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 18A，20V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.8V @ 20mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：67nC @ 20VVgs（最大值）：±25V，-10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1680pF @ 800VFET功能：标准功率耗散（最大值）：272W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C安装类型：通孔器件封装：TO-3P（N）TW070J120B,S1Q均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
