深圳市南皇电子有限公司长期提供TP65H050WSQA（品牌: Transphorm）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：TP65H050WSQA制造商：Transphorm描述：GANFET N-CH 650V 36A TO247-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：N 通道技术：GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：36A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 25A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 700μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：24nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1000pF @ 400VFET功能：-功率耗散（最大值）：150W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-247-3TP65H050WSQA均从Transphorm代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
