深圳市南皇电子有限公司长期提供TP65H480G4JSG-TR（品牌: Transphorm）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：TP65H480G4JSG-TR制造商：Transphorm描述：GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：3.6A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：8V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：560 毫欧 @ 3.4A，8V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 500μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8V @ 8nCVgs（最大值）：±18V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：400V @ 760pFFET功能：-功率耗散（最大值）：13.2W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：3-PQFN（5x6）TP65H480G4JSG-TR均从Transphorm代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
