深圳市南皇电子有限公司长期提供TPH3206LDG-TR（品牌: Transphorm）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：TPH3206LDG-TR制造商：Transphorm描述：GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：17A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：8V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：180 毫欧 @ 11A，8V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 500μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.3nC @ 4.5VVgs（最大值）：±18V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：760pF @ 480VFET功能：-功率耗散（最大值）：96W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：3-PQFN（8x8）TPH3206LDG-TR均从Transphorm代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
