深圳市南皇电子有限公司长期提供TPH3206LSGB(品牌: Transphorm)充足现货订购、免费样品
技术参数详解:
制造商产品型号:TPH3206LSGB制造商:Transphorm描述:GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:停产FET类型:N 通道技术:GaNFET(氮化镓)漏源电压(Vdss):650V25°C时电流-连续漏极(Id):16A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):8V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):180 毫欧 @ 10A,8V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.6V @ 500μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):6.2nC @ 4.5VVgs(最大值):±18V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):720pF @ 480VFET功能:-功率耗散(最大值):81W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:3-PQFN(8x8)TPH3206LSGB均从Transphorm代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!