BZD27C33P-HE3-18（Vishay）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：BZD27C33P-HE3-18

原始制造厂商：Vishay，威世

技术标准参数：DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB

产品应用分类：二极管 - 齐纳 - 单

现货供应，最快当日出货，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求！

技术参数详解：

制造商产品型号：BZD27C33P-HE3-18

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

描述：DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB

系列：二极管 - 齐纳 - 单

零件状态：有源

电压-齐纳（标称值）(Vz)：33V

容差：-

功率-最大值：800mW

阻抗（最大值）(Zzt)：15 Ohms

不同Vr时电流-反向泄漏：1μA @ 24V

不同If时电压-正向(Vf)：1.2V @ 200mA

工作温度：-65°C ~ 175°C

安装类型：表面贴装型

封装：DO-219AB

BZD27C33P-HE3-18均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Vishay

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