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图片信息
BZD27C33P-HE3-18图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:BZD27C33P-HE3-18
  • 原始制造厂商:Vishay,威世
  • 技术标准参数:DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB
  • 产品应用分类:二极管 - 齐纳 - 单
  • 点击此处下载BZD27C33P-HE3-18的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:BZD27C33P-HE3-18
  • 制造商:Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • 描述:DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB
  • 系列:二极管 - 齐纳 - 单
  • 零件状态:有源
  • 电压-齐纳(标称值)(Vz):33V
  • 容差:-
  • 功率-最大值:800mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms
  • 不同Vr时电流-反向泄漏:1μA @ 24V
  • 不同If时电压-正向(Vf):1.2V @ 200mA
  • 工作温度:-65°C ~ 175°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:DO-219AB
  • BZD27C33P-HE3-18均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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