深圳市南皇电子有限公司长期提供SIHB17N80E-GE3(品牌: Vishay)充足现货订购、免费样品
技术参数详解:
制造商产品型号:SIHB17N80E-GE3制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:E零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):800V25°C时电流-连续漏极(Id):15A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):290 毫欧 @ 8.5A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):122nC @ 10VVgs(最大值):±30V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2408pF @ 100VFET功能:-功率耗散(最大值):208W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:D2PAK(TO-263)SIHB17N80E-GE3均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!