深圳市南皇电子有限公司长期提供SIR182DP-T1-RE3（品牌: Vishay）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：SIR182DP-T1-RE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：TrenchFET? Gen IV零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：60A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.8 毫欧 @ 15A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：64nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3250pF @ 30VFET功能：-功率耗散（最大值）：69.4W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerPAK? SO-8SIR182DP-T1-RE3均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
