深圳市南皇电子有限公司长期提供SIR618DP-T1-GE3（品牌: Vishay）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：SIR618DP-T1-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：ThunderFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：200V25°C时电流-连续漏极(Id)：14.2A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：95 毫欧 @ 8A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 7.5VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：740pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：48W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerPAK? SO-8SIR618DP-T1-GE3均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
