SIR846ADP-T1-RE3（Vishay）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：SIR846ADP-T1-RE3

原始制造厂商：Vishay，威世

技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处下载SIR846ADP-T1-RE3的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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技术参数详解：

制造商产品型号：SIR846ADP-T1-RE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：TrenchFET?

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C时电流-连续漏极(Id)：60A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.8 毫欧 @ 20A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：66nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2350pF @ 50V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：83W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：PowerPAK? SO-8

SIR846ADP-T1-RE3均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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