深圳市南皇电子有限公司长期提供SIRB40DP-T1-GE3（品牌: Vishay）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：SIRB40DP-T1-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：TrenchFET?零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.25 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：45nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4290pF @ 20V功率-最大值：46.2W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：PowerPAK? SO-8 双SIRB40DP-T1-GE3均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
