深圳市南皇电子有限公司长期提供SISH407DN-T1-GE3(品牌: Vishay)充足现货订购、免费样品
技术参数详解:
制造商产品型号:SISH407DN-T1-GE3制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:TrenchFET?零件状态:有源FET类型:P 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):20V25°C时电流-连续漏极(Id):15.4A(Ta),25A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):9.5 毫欧 @ 15.3A,4.5V不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):93.8nC @ 8VVgs(最大值):±8V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2760pF @ 10VFET功能:-功率耗散(最大值):3.6W(Ta),33W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:PowerPAK? 1212-8SHSISH407DN-T1-GE3均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!