深圳市南皇电子有限公司长期提供SISS08DN-T1-GE3（品牌: Vishay）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：SISS08DN-T1-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：TrenchFET? Gen IV零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：25V25°C时电流-连续漏极(Id)：53，9A（Ta），195，5A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1，23 毫欧 @ 15A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：82nC @ 10VVgs（最大值）：+20V，-16V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3670pF @ 12.5VFET功能：-功率耗散（最大值）：5W（Ta），65.7W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）SISS08DN-T1-GE3均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
