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图片信息
SQJ412EP-T1-GE3图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:SQJ412EP-T1-GE3
  • 原始制造厂商:Vishay,威世
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处下载SQJ412EP-T1-GE3的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • Vishay威世半导体原厂型号:SQJ412EP-T1-GE3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
  • 系列:TrenchFET
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):40V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):32A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.1 毫欧 @ 10.3A, 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):120nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5950pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:83W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:PowerPAK SO-8
  • 供应商器件封装:PowerPAK SO-8
  • SQJ412EP-T1-GE3均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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