深圳市南皇电子有限公司长期提供SQJ412EP-T1-GE3（品牌: Vishay）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
Vishay威世半导体原厂型号：SQJ412EP-T1-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8系列：TrenchFETFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：32A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.1 毫欧 @ 10.3A, 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：120nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5950pF @ 20V功率 - 最大值：83W安装类型：表面贴装封装/外壳：PowerPAK SO-8供应商器件封装：PowerPAK SO-8SQJ412EP-T1-GE3均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
