SQJ461EP-T1-GE3（Vishay）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：SQJ461EP-T1-GE3

原始制造厂商：Vishay，威世

技术标准参数：MOSFET P-CH 60V 30A SO-8

产品应用分类：单端场效应管

现货供应，最快当日出货，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求！

技术参数详解：

Vishay威世半导体原厂型号：SQJ461EP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 60V 30A SO-8

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 14.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：140nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4710pF @ 30V

功率 - 最大值：83W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK SO-8

供应商器件封装：PowerPAK SO-8

SQJ461EP-T1-GE3均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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