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图片信息
VQ1001P图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:VQ1001P
  • 原始制造厂商:Vishay,威世
  • 技术标准参数:MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处下载VQ1001P的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:VQ1001P
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:4 个 N 通道
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):830mA
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.75 欧姆 @ 200mA,5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):110pF @ 15V
  • 功率-最大值:2W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:-
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