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图片信息
VS-GT50TP120N图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:VS-GT50TP120N
  • 原始制造厂商:Vishay,威世
  • 技术标准参数:IGBT MOD 1200V 100A INT-A-PAK
  • 产品应用分类:晶体管 - IGBT - 模块
  • 点击此处下载VS-GT50TP120N的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:VS-GT50TP120N
  • 制造商:Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • 描述:IGBT MOD 1200V 100A INT-A-PAK
  • 系列:晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:沟道
  • 配置:半桥
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):100A
  • 功率-最大值:405W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.35V @ 15V,50A
  • 电流-集电极截止(最大值):5mA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies):6.24nF @ 30V
  • 输入:标准
  • NTC热敏电阻:无
  • 工作温度:175°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:INT-A-PAK(3 + 4)
  • VS-GT50TP120N均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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