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图片信息
W632GG8NB11J图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:W632GG8NB11J
  • 原始制造厂商:Winbond,华邦电子
  • 技术标准参数:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
  • 产品应用分类:存储器
  • 点击此处下载W632GG8NB11J的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:W632GG8NB11J
  • 制造商:Winbond Electronics
  • 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3
  • 存储容量:2Gb(256M x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:933MHz
  • 写周期时间-字,页:15ns
  • 访问时间:20ns
  • 电压-供电:1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:78-VFBGA
  • W632GG8NB11J均从Winbond代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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