模拟半导体设计创新领导者 Advanced Linear Devices Inc. (ALD) 今天宣布推出一款零栅极阈值电压 EPAD P 沟道 MOSFET 阵列，推出业界首个精密亚阈值电路。MOSFET 目前具有业界最低的 0.2 伏 (V) 工作电压和小于 1 纳安 (nA) 的电流。这些芯片实现了能量收集和物联网 (IoT) 传感器应用的下一代开发所需的工作区域。

ALD310700A/ALD310700 四通道零阈值 MOSFET 旨在开发利用 0.00V 零阈值电压的小信号精密应用。该电路非常适合需要< +0.5V 电源的极低工作电压的设计。有史以来第一次允许电路在亚阈值区域工作，将 MOSFET 的工作范围扩大到前所未有的信号电平。

新的 MOSFET 简化了电路偏置方案并减少了元件数量，同时为物联网工程师提供了更高的传感器应用精度和灵敏度。在匹配的传感器应用中，P 沟道 MOSFET 可以与 ALD N 沟道零阈值 MOSFET 器件一起工作。ALD310700A/ALD310700 是流行的 ALD110800A/ALD110800 精密零阈值 N 通道器件的 P 通道版本。这两个 MOSFET 系列共同提供互补的精度性能。这些互补的配对器件支持设计精度为 0.5% 的电流镜、电流源以及参考电源或接地源的电路，包括差分放大器输入级、传输门和多路复用器。

显着的设备特点：

• 精密失调电压(VOS)：最大2mV，最大10mV。

• 低于 0.2V 的最低工作电压

• 低于 1nA 的超低最低工作电流

• 匹配和跟踪温度特性

“这些器件的工作功率比同类 MOSFET 阵列低 100 倍。更重要的是，它们支持下一代应用的功率水平和精度，这在以前是不可能的，”Advanced Linear Devices 总裁兼创始人 Robert Chao 说。“这些阵列为在需要匹配传感器活动的物联网节点上工作的电路设计人员提供了一种从超级电容器或深循环电池收集电力的方法。”

例如，一些潜在的能量收集源，例如仅产生 0.2V 的热电发电机，产生的能量非常低，以至于它们几乎不能用于驱动电子电路中的电源。ALD P 通道零阈值 (VGS(th)=0.00) EPAD MOSFET 阵列可与低压升压转换器耦合，为低电平电源提供更大范围的能量收集源。

该器件提供四通道版本，是 EPAD® 匹配对 MOSFET 系列的成员。零件可以从 ALD代理商 订购，也可以直接从 ALD 订购批量订购的零件。100 件起价为 2.00 美元。