日前，集设计，开发和全球销售的功率半导体供应商AOS半导体有限公司(AOS)，发布了具有行业领先标准的高功率密度和高效能的功率，它们的DFN3X3封装厚度只有超薄的0.8毫米。

新的产品上应用了AOS的MOS专利技术。这些技术的好处在于它可以延长的使用寿命，还可以使设计变的更简单紧凑，适用于便携式产品，例如：平板电脑、智能手机,电子书、、数码相机及便携式音乐播放器。

AON7421和AON7423是20V P沟道，它们的RDS(ON)是目前市面上具有相同封装的同类产品中最低的。在栅极电压为2.5V时，AON7421的RDS(ON)比其它竞争者要低20%。AON7423是一款低开启门限电压的，低至1.5V，适合应用在低电压范围的负载切换。

AOS低压MOS的负责人Peter Wilson介绍：“AOS长期致力于给客户提供高效能的。这个系列的20V P沟道MOS产品设定了高功率密度和高效能的新基准，符合了延长寿命的要求。”所有的产品都是无卤的而且出厂时会100%检测Rg和UIS。

　　 Specification TableVDSVGSMax. RDS(ON)PD @ TA = 25℃ID @ TA = 25℃

　　@ -10V@ -4.5V@ -2.5V@ -1.8V@ -1.5V

　　AON7421-20 V±12 V4.6 m&;5.7 m&;8.2 m&;——6.2 A

　　AON7423-20 V±8 V—5 mΩ6.4 mΩ8 mΩ10.5 mΩ6.3 A

　　AON742X系列产品可以在12周内交货。1000片起定，价格为0.7美金。