AOS推出采用先进的沟槽技术MOSFET AO34xx 系列
Alpha and Omega Semiconductor AO34xx 系列 MOSFET 采用先进的沟槽技术,可提供低至 22 mΩ 的出色 RDS(ON),以及低至 3.2 nC(4.5 V 下)的栅极电荷。AO34xx 系列在 1.5 V 至 12 V 的宽栅极驱动范围内工作,同时在 25℃ 下提供高达 6.5 A 的连续漏极电流。这些 MOSFET 具有 -55°C 至 +150°C 的非常宽的结温和存储温度范围,最大功耗高达 1.5 W,非常适合负载开关和 PWM 应用。AO34xx 系列采用薄型 SOT-23 封装。
特性
1.5 V 至 12 V 宽栅极驱动范围
+25°C 下的连续漏极电流高达 6.5 A
结点和存储温度范围为 -55°C 至 +150°C
最大功耗高达 1.5 W
采用 SOT-23 封装
应用
负载切换
PWM 应用
更多IC电子元器件制造商行业动态(2024年11月21日更新)
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