GSI Technology 的 LLDRAM 可达到以往只能通过 SRAM 实现的访问速度。

GSI Technology 低延迟 DRAM 图片GSI Technology 低延迟 DRAM (LLDRAM) 是高速存储设备，设计用于网络和电信应用中常见的高地址速率数据处理。8 组架构和低 tRC，达到以往只能通过 SRAM 实现的访问速度。

特性

与 Micron RLDRAM® II 引脚和功能兼容

533 MHz DDR 操作（1.067 Gbps/引脚数据速率）

38.4 Gbps 峰值带宽 (533 MHz 时钟频率下为 x36）

提供 x36、x18 和 x9 组织

八个内部存储区，用于并发操作和最大带宽

更短的周期时间（533 MHz 时为 15 ns）

地址多路复用（提供非多路复用地址选项）

SRAM 型接口

可编程读取延迟 (RL)、行循环时间和突发序列长度

均衡的读写延迟以优化数据总线利用率

写入命令的数据掩码

差分输入时钟 (CK, CK)

差分输入数据时钟 (DKx, DKX)

片上 DLL 产生 CK 边缘对齐的数据并输出数据时钟信号

数据有效信号 (QVLD)

32 ms 刷新（每个存储体 8 K 刷新；每 32 ms 总共必须发出 64 K 刷新命令）

144 球 μBGA 封装

HSTL I/O（1.5 V 或 1.8 V 标称）

25 Ω 至 60 Ω 匹配阻抗输出

2.5 V VEXT、1.8 V VDD、1.5 V 或 1.8 V VDDQ 输入输出

片内端接 (ODT) RTT

商业和工业温度

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