聚焦GeneSiC公司全网新闻事件、热点话题、人物动态、产品资讯（2024年11月22日更新）
GeneSiC这些G3R™SiC MOSFET, 提供优化的低电感分立封装 (贴片和通孔), 针对要求提高效率水平和超快开关速度的电源系统设计进行了高度优化....
GeneSiC半导体今天宣布推出下一代3300V和1700V1000mΩSiC MOSFET – G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, 和G2R1000MT33J....
GeneSiC的创新特色是SiC双注入金属氧化物半导体 (场效应管) 结势垒肖特基器件结构 (JBS) 整流器集成到SiC DMOSFET单元电池中. 这种领先的功率器件可用于下一代功率转换系统中的各种功率转换电路中. GeneSiC的创新特色是SiC双注入金属氧化物半导体 (场效应管) 结势垒肖特基器件结构...
GeneSiC 的 G3R™, 提供优化的低电感分立封装 (贴片和通孔), 经过优化，可在所有工作条件和超快开关速度下以最低功耗运行. 与当代 SiC MOSFET 相比，这些器件具有明显更好的性能水平....
经过十多年为业界提供高性能、高品质的碳化硅整流器, GeneSiC很高兴发布我们的第 5 代 SiC 肖特基 MPS™ (合并-PiN-肖特基) 在各个方面提供行业领先性能的二极管，以满足服务器/电信电源和电池充电器等应用中的高效率和功率密度目标....
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二极管 - 整流器 - 阵列
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