GeneSiC发布6.5kV碳化硅MOSFET，在提供前所未有的性能水平方面处于领先地位, 牵引等中压功率转换应用的效率和可靠性, 脉冲电源和智能电网基础设施.

GeneSiC半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体, 今天宣布宣布立即供货6.5kV SiC MOSFET裸芯片– G2R300MT65-CAL和G2R325MS65-CAL. 利用该技术的全碳化硅模块即将发布. 预计应用将包括牵引力, 脉冲功率, 智能电网基础设施和其他中压功率转换器.

G2R300MT65-CAL – 6.5kV300mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

G2R325MS65-CAL – 6.5kV325mΩG2R™SiC MOSFET (与集成肖特基) 裸芯片

G2R100MT65-CAL – 6.5kV100mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

GeneSiC的创新特色是SiC双注入金属氧化物半导体 (场效应管) 结势垒肖特基器件结构 (JBS) 整流器集成到SiC DMOSFET单元电池中. 这种领先的功率器件可用于下一代功率转换系统中的各种功率转换电路中. 其他重要优势包括更高效的双向性能, 温度独立开关, 低开关损耗和传导损耗, 降低冷却要求, 出色的长期可靠性, 易于并联设备并节省成本. GeneSiC的技术不仅具有出色的性能，而且还具有减少功率转换器中SiC净材料足迹的潜力.

“GeneSiC的6.5kV SiC MOSFET在6英寸晶圆上设计和制造，以实现低导通电阻, 最好的质量, 和卓越的性价比指标. 下一代MOSFET技术可提供出色的性能, 在中压功率转换应用中具有出色的耐用性和长期可靠性。” 说过 博士. 西达斯·孙达雷森, GeneSiC代理商.

GeneSiC的6.5kV G2R™SiC MOSFET技术特性 –

高雪崩 (统计研究所) 和短路坚固性

上级QG 设DS(上) 品质因数

温度无关的开关损耗

低电容和低栅极电荷

在所有温度下损耗低

常关稳定工作温度高达175°C

+20 V / -5 V门驱动