GeneSiC半导体, 碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体器件, 宣布第 5 代的可用性 (GE***系列) SiC 肖特基 MPS™ 整流器以其卓越的性价比指标树立了新的标杆, 行业领先的浪涌电流和雪崩稳定性, 和高品质的制造.

“GeneSiC 是最早在美国商业化供应 SiC 肖特基整流器的 SiC 制造商之一。 2011. 经过十多年为业界提供高性能、高品质的碳化硅整流器, 我们很高兴发布我们的第 5 代 SiC 肖特基 MPS™ (合并-PiN-肖特基) 在各个方面提供行业领先性能的二极管，以满足服务器/电信电源和电池充电器等应用中的高效率和功率密度目标. 使我们的第 5 代产品的革命性功能 (GE***系列) SiC 肖特基 MPS™ 二极管在同类产品中脱颖而出的是低内置电压 (也称为拐点电压);它可以在所有负载条件下实现最低的二极管传导损耗 - 对于需要高效能源使用的应用至关重要. 与其他竞争对手的 SiC 二极管相比，同样设计用于提供低拐点特性, 我们的 Gen5 二极管设计的另一个特点是它们仍然保持高水平的雪崩 (UIL) 我们的客户对 GeneSiC 的 Gen3 所期望的坚固性 (GC***系列) 和 Gen4 (GD***系列) SiC肖特基MPS™” 博士说. 西达斯·孙达雷森, GeneSiC半导体技术副总裁.

特征 –

低内置电压 – 所有负载条件下的最低传导损耗

优异的功绩 – 质量控制 x VF

最佳性价比

增强的浪涌电流能力

100% 雪崩 (UIL) 已测试

低热阻适用于较冷的操作

零正向和反向恢复

温度无关的快速开关

VF 的正温度系数

应用领域 –

功率因数校正中的升压二极管 (全氟化合物)

服务器和电信电源

太阳能逆变器

不间断电源 (UPS)

电池充电器

随心所欲 / 逆变器中的反并联二极管

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 碳化硅肖特基 MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 碳化硅肖特基 MPS™

所有设备均可通过授权GeneSiC代理商购买