GeneSiC 的下一代 750V G3R™ SiC MOSFET 将提供前所未有的性能水平, 超越同类产品的坚固性和质量. 系统优势包括工作温度下的低通态下降, 更快的切换速度, 功率密度增加, 最小振铃 (低电磁干扰) 紧凑的系统尺寸. GeneSiC 的 G3R™, 提供优化的低电感分立封装 (贴片和通孔), 经过优化，可在所有工作条件和超快开关速度下以最低功耗运行. 与当代 SiC MOSFET 相比，这些器件具有明显更好的性能水平.

750V G3R 碳化硅MOSFET

“高效能源使用已成为下一代功率转换器的关键交付物，而 SiC 功率器件继续成为推动这场革命的关键组件. 经过多年的开发工作，以实现最低的导通电阻和稳健的短路和雪崩性能, 我们很高兴发布业界性能最佳的 750V 碳化硅 MOSFET. 我们的 G3R™ 使电力电子设计师能够满足具有挑战性的效率, 太阳能逆变器等应用中的功率密度和质量目标, EV 车载充电器和服务器/电信电源. 有保证的质量, 由快速周转和汽车合格的大批量制造支持，进一步增强了他们的价值主张. ” 博士说. 兰比尔·辛格, GeneSiC Semiconductor总裁.

特征 –

业界最低的栅极电荷 (问G) 和内部栅极电阻 (RG(情报局))

最低 RDS(上) 随温度变化

低输出电容 (C我们) 和米勒电容 (C广东)

100% 雪崩 (UIL) 生产过程中经过测试

行业领先的短路耐受能力

具有低 V 的快速可靠的体二极管F 和低 QRR

高且稳定的栅极阈值电压 (VTH) 跨越所有温度和漏极偏压条件

具有更低热阻和更低振铃的先进封装技术

R的制造均匀性DS(上), VTH 和击穿电压 (BV)

全面的产品组合和更安全的供应链，符合汽车标准的大批量制造

应用领域 –

太阳的 (光伏) 逆变器

电动汽车 / HEV车载充电器

服务器 & 电信电源

不间断电源 (UPS)

DC-DC转换器

开关电源 (开关电源)

储能和电池充电

感应加热

GeneSiC Semiconductor的所有SiC MOSFET均面向汽车应用 (AEC-q101) 和PPAP功能.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&贸易碳化硅MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&贸易碳化硅MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&贸易碳化硅MOSFET

所有设备均可通过授权GeneSiC代理商购买