IXYS 属于 Littelfuse Technology，现推出 N 沟道超结 MOSFET，它具有出色的品质因数（RDS(ON) 乘以 Qg），可以实现最低的传导和开关损耗，从而在电力系统中获得更高的功率密度和能源效率。最新的超结 X3 级功率 MOSFET 具有显著降低的通道电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg。与之前的 X2 级相比，该系列的品质因数 (FOM) 有了显著降低，FOM 等于 RDS(ON) × Qg。这些优势使设计人员能够实现更高的效率和功率密度。该 HiPerFET™ 系列功率 MOSFET 采用体二极管，可提供低反向恢复电荷 (QRM) 和短反向恢复时间 (trr)。超结、X3 级 600 V MOSFETS 可用于下列应用，包括电信电源同步整流、电机控制、不间断电源、DC-DC 转换器、太阳能逆变器和多电平逆变器。

资源

功率半导体产品目录

工业电机驱动器和软启动器

智能 LED 照明

特性

低导通电阻 [RDS(ON)] 和低栅极电荷 (QG)

快速软恢复体二极管

dv/dt 稳健性

卓越的雪崩能力

国际标准封装

应用

轻型电动汽车电池充电器

开关同步整流

电源

电机控制

DC-DC 转换器

不间断电源 (UPS)

电动叉车

D 类音频放大器

电信系统