用于最新脉冲雷达系统设计的 GaN-on-SiC 射频功率晶体管。

Integra 的碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC、GaN/SiC）HEMT 射频功率晶体管器件是射频功率晶体管技术中的最新产品。它们提供从 UHF 到 C 波段微波频率的高增益和高功率水平，并且它们的碳化硅 (SiC) 基板提供出色的热量提取，以实现长期可靠性和最佳功率密度。这套固态射频功率晶体管包括可提供高达 77% 功率效率和高达 1200 W 功率的型号。它们非常适合脉冲雷达应用中的高功率放大器 (HPA) 设计，包括 商业空中交通管制 (ATC) 和军事系统。

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