Navitas 宣布通过开设新的设计中心进军更高功率市场致力于带来下一代 GaN 功率 IC 和相关的高效、高功率密度系统，使世界各地的数据中心能够从硅升级到 GaN，从而显着提高节能效果，降低电力成本并减少 CO 2排放。

氮化镓 (GaN) 器件是功率半导体技术的前沿，其运行速度比传统硅芯片快 20 倍。Navitas 的 GaNFast™ 电源 IC 集成了 GaN 电源、GaN 驱动、保护和控制。高速和高效率转化为节能、高功率密度、低成本和更高可靠性方面的新行业基准。

新的设计中心位于中国杭州，拥有一支经验丰富的世界级电力系统设计师团队，他们在电气、热力和机械设计、软件开发以及完整的仿真和原型设计能力方面具有全面的能力。新团队将在全球范围内为数据中心电力客户提供支持，从概念到原型，再到全面认证和大规模生产。

设计中心将为全功能、可生产的数据中心电源开发原理图、布局和固件。最高功率密度和最高效率的创新解决方案将 GaN 的价值带入主流数据中心。此外，还将为磁性材料、热基板和其他材料建立多个合作伙伴关系，以帮助客户优化其电源设计。

Navitas 估计，从传统硅升级到新的 GaN 可以节省高达 40% 的能源，并在全球范围内每年节省 1.9B 美元的数据中心电力成本。数据中心电源符合严格的效率标准，极端“钛”级要求在 50% 负载下达到 96% 的效率。这些新基准不仅由 GaN 技术实现，而且还受到法规的要求，例如欧盟的“指令 2009/125/EC，2019 附件”，该指令规定数据新中心电源必须从 1 月 1 日起达到“钛”级效率圣, 2023.

“纳微数据中心团队拥有 GaN 功率 IC 的新技术技能，以及真正的电源设计和认证经验，”纳微中国副总裁兼总经理 Charles ZHA 说。“第一个证明点是 1.2kW 的‘Titanium plus’设计，它不仅超过了数据中心电源的最高效率标准，而且经过价值工程设计，成本低于传统硅设计。在此之后，它会出现在 2.2kW 和 3kW 平台上。”

1.2kW的设计是与亿阳和杭州FRD合作开发的，目前正在评估2022年量产。断电构建模块加快了原型制作和首次正确设计的时间。” FRD 电源事业部总经理 Ray GU 表示：“GaNFast 电源 IC 对于实现 Titanium Plus 效率至关重要，这是下一代数据中心电源的关键里程碑。这将有助于 FRD 加强其产品组合并为企业客户提供全面的解决方案。”

“随着数据和通信继续呈指数级增长，数据中心升级到 GaNFast 电源 IC 以降低成本、最大限度地节省能源并减少 CO 2排放至关重要，”联合创始人兼首席执行官 Gene SHERIDAN 说。“作为一个关键的扩张市场，我们在最近的 IPO 资金之前就进行了招募，而对我们数据中心设计团队的信任已经带来了回报。通过与世界各地的数据中心工程师合作，我们可以加速采用基于 GaN 的数据中心，并对节能、电力成本和 CO 2排放产生重大影响。”

制造 GaN 功率 IC 的 CO 2足迹比硅芯片低 10 倍，考虑到用例效率、材料尺寸和重量优势，每个出货的 GaN 功率 IC 可以节省 4 kg CO 2。总体而言，到2050年，GaN 有望实现每年减少 2.6 Gton 的 CO 2排放量。

有关样品、详细规格、价格和交货报价及更多信息，请联系当地的Navitas代理商进行询问。