氮化镓 (GaN) 功率集成电路 (IC) 的行业领导者 Navitas Semiconductor 宣布，大功率 GaN 功率 IC 样品现已可用于首批全球数据中心、太阳能和电动汽车 (EV) 客户的时间。

Navitas GaNFast™ IC 于三年前首次向移动客户推出，并已成为这些市场的主流颠覆性力量，为具有超轻量和小型化外形的移动设备提供前所未有的高效和超快速充电。现在，这种突破性的 GaN 功率 IC 技术——唯一一个单片集成驱动、控制、保护和电源的 GaN 半导体平台——首次可用于在 2kW 至 20kW 功率范围内运行的应用，包括数据中心、太阳能逆变器和电动汽车电力电子。这一发展是从传统硅升级到下一代 GaN 半导体到“电气化我们的世界”以及从化石燃料过渡到清洁电力应用的基础，并影响高达 2.6 吨/年的二氧化碳2到 2050 年的排放量。

GaN 是下一代半导体技术，其运行速度比传统硅快 20 倍，功率增加 3 倍，节能 40%，充电速度提高 3 倍，而尺寸和重量减半。Navitas 的 GaNFast™ 电源 IC 集成了 GaN 电源和驱动以及保护和控制，以提供简单、小巧、快速和高效的性能。新产品针对每个大功率市场进行了优化，具有特性、功能和功率升级，成为真正的 GaNFast 专用集成电路。

“Navitas Engineering 团队再次按时交付了高性能 GaN 功率 IC，推动了我们的市场扩张，”联合创始人兼首席执行官 Gene Sheridan 说。“这是我们在向投资者的财务路线图中概述的道路上的又一成功步骤，从我们在 20W 到 300W 移动快速充电器市场的排名第一的位置扩展到高功率 2kW 到 20kW 以上的应用。”

新产品是经过验证的 650/800V GaNFast 平台的功率升级、热增强版本，出货量超过 3000 万台，报告的现场故障为零。Navitas 独特的专有 GaNFast 集成技术具有内置、快速和准确的过温、过流和 ESD 保护。

大功率客户对 GaN 和 Navitas 的集成方法给予了响亮的认可，包括：

数据中心的Compuware：“GaN 是一项突破性的新技术。Navitas [是] 优秀的合作伙伴，拥有行业领先的 GaN IC。” Navitas 最近宣布在杭州建立一个专门的数据中心设计中心，并估计与典型的传统硅解决方案相比，将数据中心从硅升级到 GaN 将节省高达 40% 的能源，并为行业节省高达 1.9B 美元/年的电力成本。

太阳能中的Enphase Energy：“这是硅之路的尽头。GaN 提供 >10 倍的频率和显着的成本优势。” Navitas 估计，GaN 功率 IC 可使微型逆变器的成本降低 25%，节能高达 40%，与硅相比，安装成本回报率提高了 10% 以上。

EV 中的Brusa：“Navitas 的优势在于驾驶简单、高速、可靠性和紧凑的外形尺寸。” Navitas 估计，GaNFast 产品可提供 3 倍的充电速度和 70% 的节能，从而使续航里程延长 5% 或电池成本降低 5%。采用 GaN 可以将全球电动汽车的采用速度最多加快 3 年，到 2050年将道路部门的 CO 2排放量减少 20%。

有关样品、详细规格、价格和交货报价及更多信息，请联系当地的Navitas代理商进行询问。