氮化镓 (GaN) 功率集成电路 (“IC”) 的行业领导者 Navitas Semiconductor 宣布推出采用 GaNSense 技术的 GaNFast™ 功率 IC。GaNSense 技术集成了关键、实时、自主的传感和保护电路，进一步提高了 Navitas 业界领先的可靠性和稳健性，同时提高了 Navitas GaN IC 技术的节能和快速充电优势。

氮化镓 (GaN ) 是一种下一代半导体技术，其运行速度比传统硅快 20 倍，并且在尺寸和重量减半的情况下，功率提高了 3 倍，充电速度提高了 3 倍。Navitas 的 GaNFast™ 电源 IC 集成了 GaN 电源和驱动以及保护和控制，以提供简单、小巧、快速和高效的性能。

GaNSense 技术集成了对包括电流和温度在内的系统参数的实时、准确和快速传感。该技术实现了正在申请专利的无损电流感应功能，与前几代产品相比，可将节能提高多达 10%，并进一步减少外部组件数量并缩小系统占位面积。此外，如果 GaN IC 识别出潜在的危险系统状况，该 IC 旨在快速过渡到逐周期睡眠状态，从而保护设备和周围系统。GaNSense 还集成了自主待机功耗功能，可在 GaN IC 处于空闲模式时自动降低待机功耗，有助于进一步降低功耗，

凭借业界最严格的电流测量精度和 GaNFast 响应时间，与之前的同类最佳解决方案相比，GaNSense 技术意味着将危险的过电流尖峰减少 50%，并将“危险区域”的时间减少 50%。GaNFast 单片集成提供可靠、无干扰的操作，没有“振铃”，从而提高了系统可靠性。

“从检测到保护仅需 30 ns，GaNSense 技术比分立 GaN 实现快 600%，”Navitas 首席运营官/首席技术官兼联合创始人 Dan Kinzer 说。“Navitas 的下一代提供了针对潜在系统故障模式的高度准确和有效的防御。再加上对高达 800V 瞬态电压的抗扰性以及严格的栅极波形控制和电压调节，这只有通过我们专有的工艺设计套件才能实现，并且您在功率半导体的可靠性、稳健性和性能方面有了新的标准。”

采用 GaNSense 技术的全新 GaN 功率 IC 系列涵盖 10 款产品，它们都具有 GaN 功率、GaN 驱动、控制和保护的核心关键 GaNFast 集成。所有器件的额定电压均为 650V/800V，具有 2kV ESD 保护，R DS(ON)范围为 120 至 450 mOhms，采用 5×6 和 6×8 mm PQFN 封装……具有 GaNSense 保护电路和无损电流感应。该第 3代 GaN IC 系列针对现代电源转换拓扑进行了优化，包括高频准谐振 (HFQR) 反激式、有源钳位反激式 (ACF) 和 PFC 升压，这些技术很受欢迎，可提供最快、最高效和最小的移动和消费市场中的充电器和适配器。

目标市场包括智能手机和笔记本电脑的快速充电器，估计 GaN 潜力为每年 2B 美元，以及另一个每年 2B 美元的消费市场，包括一体机 PC、电视和家庭网络和自动化。GaNSense 技术已用于联想的YOGA 65W 笔记本电脑充电器。

迄今为止，已出货超过 3000 万个 GaNFast 功率 IC，在现场实现了超过 1160 亿个器件小时 - 报告的 GaN 现场故障为零。与传统硅芯片相比，出货的每个 GaNFast 功率 IC 的碳足迹减少了 4-10 倍，并减少了 4 公斤的 CO 2 。

采用 GaNSense 技术的 GaNFast 功率 IC 将在以下活动中展示：

11 月 8 日：Navitas 首席运营官/首席技术官兼联合创始人 Dan Kinzer 举办的 WiPDA 2021（虚拟）

11 月 11 日：CPSSC 2021（上海），应用领域高级总监黄秀成博士

11 月 18 日：Dan Kinzer 的 PSMA 电源技术路线图（虚拟版）

采用 GaNSense 技术的 GaNFast 功率 IC 已投入量产，Navitas代理商可立即供货。新 GaNSense 技术的完整技术细节，包括数据表、资格数据、应用说明和样品，可根据 NDA 提供给客户合作伙伴。