Transphorm Inc - 设计和制造符合 JEDEC 和 AEC-Q101 标准的氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET)，用于高压功率转换应用 - 表示功率半导体产品美国德克萨斯州普莱诺的供应商 Diodes Inc 推出了使用其 SuperGaN FET 的完整 130W USB Type-C 供电 (PD) 3.0 适配器评估和开发套件。

该套件将 Diodes 的高性能有源钳位反激 (ACF) 控制器与 Transphorm 的具有输入功率因数校正 (PFC) 的专利常关型 SuperGaN Gen IV 器件配对。与增强型 GaN 和基于硅的系统相比，由此产生的解决方案提供了低待机功耗、更高效率、据称是前所未有的热性能以及最优的系统材料清单 (BOM) 成本。它超过了 DOE VI 和 COC Tier 2 能效要求，并允许提高功率密度。

Diodes 的 ACF 解决方案旨在利用配置中的下一代电源转换技术，在 USB PD 充电应用中提供比传统反激系统更高的性能和显着低于半桥谐振 LLC 解决方案的成本。据估计，新的 130W ACF SuperGaN 套件也不例外，可以轻松快速地评估先进技术，同时加快上市时间。能力包括：高功率峰值效率（>93.5%）；高功率因数（>0.90 超过 60% 负载）；超低总谐波失真 (THD)（<18% over line over 60% load）；低待机功率（<43mW）；和最低开关温度（<75°C）。

该套件使用三个主要的 Diodes 控制器和两个 Transphorm 的 SuperGaN FET：

AP3306：高度集成的ACF控制器，专为超低待机功耗和高功率密度要求而设计，并具有全面的保护机制；

APR340：用于二次侧同步整流的MOSFET驱动器；

AP43771V：USB Type-C PD3.0 解码器，具有开/关 N 沟道 MOSFET 控制和强大的保护功能；和

TP65H150G4LSG 器件：SuperGaN 650V、150mΩ FET，分别用于 PFC 控制和 ACF 控制级。

“Diodes 的 AP3306 ACF 控制器为 45W 至 140W 的各种电源适配器提供高集成度、低待机功耗、最佳系统成本和多功能保护，而我们的 AP43771V USB-PD 控制器提供 PPS 具有一个具有虚拟多Diodes 的 ACDC 电源与照明 (APL) 部门经理 Ernest Lin 表示，该区域可用于定制，支持不同的快速充电器功率配置文件。“Transphorm 的 SuperGaN 技术使我们能够提供最高效率、最低器件温度和最终高功率密度的适配器系统，该系统易于驱动，无需任何额外的驱动器或复杂的接口，”他补充道。

“Diodes 是 USB-PD 适配器市场中多个控制器的创新者和供应商，其开发套件是一个宝贵的机会，可帮助客户快速实现 GaN 电源转换为高性能笔记本电脑带来的好处，”副总裁 Tushar Dhayagude 评论道。技术销售和现场应用，Transphorm。“适配器市场才刚刚开始通过先进的 ACF 拓扑实现功率和成本节约，因为我们看到更多大于 100W 的充电器进入市场，”他补充道。“Transphorm 的 SuperGaN FET 结合了最高效率、简单的设计和可驱动性以及市场上最强大和最高的栅极抗噪能力。”

简单易用的 130W USB PD ACF 套件允许制造商快速定制和实施具有 USB-C、PPS 和多协议配置的 90W 至 150W 适配器设计。该套件现可根据 Diodes 的要求提供。

有关样品、详细规格、价格和交货报价及更多信息，请联系当地的Transphorm代理商进行询问。