碳化硅 (SiC) 功率半导体的领先制造商 UnitedSiC 已响应电源设计人员对更高性能、更高效率的 SiC FET 的要求，宣布推出业界最佳的 750V， 6 毫欧装置。在 R DS(on)值不到最接近的 SiC MOSFET 竞争对手的一半，新的 6mohm 器件还提供 5μs 的稳健短路耐受时间额定值。今天发布的产品包括 750V SiC FET 系列中的 9 种新器件/封装选项，额定值为 6、9、11、23、33 和 44mohms。所有器件均采用 TO-247-4L 封装，而 18、23、33、44 和 60mohm 器件也采用 TO-247-3L 封装。与现有的 18 和 60mohm 器件相辅相成，这个 750V 扩展系列为设计人员提供了更多的器件选择，实现了更大的设计灵活性，以实现最佳的成本/效率权衡，同时保持充足的设计余量和电路稳健性。

UnitedSiC 的第 4 代 SiC FET 是 SiC JFET 和共同封装的硅 MOSFET 的“共源共栅”。这些共同提供了宽带隙技术的全部优势——高速、低损耗和高温操作，同时保持简单、稳定和强大的栅极驱动和集成 ESD 保护。这些优势通过品质因数 (FoM) 进行量化，例如 R DS(on) x A，衡量每单位芯片面积的传导损耗。第 4 代 SiC FET 在高和低芯片温度下均达到市场最低值。FoM R DS(on) x E OSS/ Q OSS在硬开关应用中很重要，是最接近的竞争对手值的一半。FoM R DS(on) x C OSS(tr)在软开关应用中至关重要，UnitedSiC 器件的价值比竞争对手的器件低约 30%，额定电压为 650V，而 UnitedSiC 的额定电压为 750V。对于硬开关应用，SiC FET 的集成体二极管在恢复速度和正向压降方面优于竞争的 Si MOSFET 或 SiC MOSFET 技术。第 4 代技术的其他优势包括通过先进的晶圆减薄技术和银烧结芯片连接降低芯片到外壳的热阻。这些特性可在要求苛刻的应用中实现最大功率输出，以实现低芯片温升。

凭借在开关效率和导通电阻方面的最新改进，新型 UnitedSiC SiC FET 非常适合具有挑战性的新兴应用。其中包括电动汽车中的牵引驱动器和车载和非车载充电器，以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器和 AC/DC 或 DC/DC 电源转换中单向和双向功率转换的所有阶段。成熟的应用也受益于使用这些器件轻松提高效率，因为它们向后兼容 Si MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器以及成熟的 TO-247 封装。

正如 UnitedSiC 总裁兼首席执行官 Chris Dries 所说：“UnitedSiC 第 4 代 SiC FET 无疑是竞争技术中的性能领导者，并为宽带隙开关技术树立了新的标杆。新增的产品系列现在为所有性能和预算规格以及更广泛的应用提供了更多选择。”

新型 750V 第 4 代 SiC FET 的定价（1000 片以上，美国离岸价）从 UJ4C075044K3S 的 4.15 美元到 UJ4SC075006K4S 的 23.46 美元不等。所有设备均可从授权UnitedSiC代理商处获得。