领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商 UnitedSiC 继续扩展其 FET 产品组合，推出了六种新的 650V 和 1200V 选项，全部采用行业标准 D2PAK-7L 表面挂载包。这些最新的 SiC FET 提供 30、40、80 和 150mΩ 版本，代表着在加速向 SiC 跨服务器和电信电源、工业电池充电器和电源、EV 车载充电器和 DC-DC 等应用迁移的过程中又向前迈进了一步转换器。

D2PAK-7L SiC FET 支持显着提高的开关速度，通过开尔文源极连接提高栅极驱动返回性能，并提供行业领先的散热能力。通过使用银烧结，可以在传统的 PCB 以及复杂的绝缘金属基板 (IMS) 布置上完成芯片连接。此外，它们分别具有 6.7 毫米和 6.1 毫米的出色爬电距离和电气间隙数据——这意味着即使在高电压下也可以确保最高程度的操作安全性。

UnitedSiC 工程副总裁 Anup Bhalla 表示：“通过这些最新 FET 的快速开关能力，以及 Ag 烧结带来的卓越热性能，我们将继续为电源设计人员带来性能、可靠性、尺寸和布局优势。”

UnitedSiC 的FET-Jet Calculator™完全支持新的 D2PAK-7L 器件。利用这个免费的在线资源，工程师可以评估其应用所需的不同操作参数，进行详细的性能比较，然后快速而自信地确定哪个是满足其设计要求的最佳 SiC 解决方案。

新型 650V D2PAK-7L SiC FET 的价格（1000 片以上，美国离岸价）从 UF3C065080B7S 的 3.27 美元到 UF3SC065030B7S 的 7.54 美元不等。对于 1200V D2PAK-7L 器件，价格从 UF3C120150B7S 的 3.10 美元到 UF3SC120040B7S 的 10.91 美元不等。所有器件均可从 UnitedSiC 授权UnitedSiC代理商处获得。