Vishay Intertechnology, Inc. 今天推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E为电信、服务器和数据中心电源应用提供高效率，与上一代 600 VE 系列 MOSFET 相比，导通电阻降低了 27%，同时栅极电荷降低了 60%。这使得同级别器件的栅极充电时间导通电阻达到业界最低，这是电源转换应用中使用的 600 V MOSFET 的关键品质因数 (FOM)。

Vishay 提供广泛的 MOSFET 技术，支持电源转换过程的所有阶段，从高压输入到最新电子系统所需的低压输出。凭借 SiHK045N60E 和即将推出的第四代 600 VE 系列系列器件，该公司正在解决电力系统架构第一阶段（功率因数校正和硬开关 AC/DC 转换器拓扑）提高效率和功率密度的需求.

SiHK045N60E 基于 Vishay 最新的节能 E 系列超级结技术构建，在 10 V 时具有 0.043 Ω 的低典型导通电阻和低至 65 nC 的超低栅极电荷。该器件的 FOM 为 2.8 Ω*nC，比同类中最接近的竞争 MOSFET 低 3.4%。为了提高开关性能，SiHK045N60E 提供 117 pF 的低有效输出电容 C o(er)。这些值转化为降低的传导和开关损耗以节省能源。SiHK045N60E 的热阻 R thJC为 0.45 °C/W，比最接近的竞争器件低 11.8%，提供更高的热容量。

今天发布的器件采用 PowerPAK ® 10x12 封装，符合 RoHS 标准，不含卤素，设计用于在雪崩模式下承受过压瞬变，并通过 100 % UIS 测试保证限值。

SiHK045N60E 现已提供样品并已实现量产。